浅谈汽车电子零部件EMC测试失败因素

豪威集团发布首款高性能MCU  助力国产替代

在汽车、工业控制、消费电子、家用电器、可穿戴设备等各种应用领域中,MCU几乎无处不在,扮演着控制核心的角色。得益于新能源汽车、工业控制的不断智能化升级,物联网、可穿戴设备的加速迭代,MCU市场逐年高速成长。据IC Insights预测,全球MCU销售额将在2022年增长10%,达到215亿美元的历史新高。MCU市场中海外半导体厂商一直处于垄断地位,但随着技术、工艺、支持的不断进步和完善,本土品牌MCU已逐步被市场认可,国产替代空间巨大。   顺应市场

汽车电子零部件EMC测试失败时有发生,发射测试的失败经常困扰着现场跟进的工程师们,电磁发射看不见摸不着,怎么快速定位引起发射失败的干扰源,下面给大家详细介绍。

随着信息化的发展, MCU运算和信息存储速度越来越快,高速时钟、快速运算和存储信号会引起的很强的电磁干扰;由于系统集成度越来越高,零部件的体积越来越小,零部件模块干扰之间的相互耦合不可避免,很容易将内部的干扰带出来从而引起发射测试失败。

汽车电子零部件EMC发射测试包含CTE(电源线瞬态传导发射),MFE(低频磁场发射),CE(传导发射-AN(电压法)和CP(电流法))以及RE(辐射发射)四项,下面我们来一一解析:

1 CTE测试失败

CTE测试的失败一般由内部大功率的磁性器件引起,如电机的线圈,电磁铁的线圈、滤波电路中的大功率电感等,这些部件在关闭的瞬间会产生很强的瞬态脉冲。

CTE测试失败数据

2 MFE测试失败

MFE测试的失败一般由内部大功率的磁性器件引起,如电机的线圈,电磁铁的线圈、新能源部件中的大功

MFE测试失败数据

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3 CE测试失败

CE测试中的失败一般由开关电源和地处理不良引起,测试数据中的窄带骚扰引起超标一般为开关电源引起,宽带骚扰超标一般由地处理不良引起。

开关电源模块引起的AN测试失败-窄带骚扰

地处理不良引起的CP测试失败-宽带骚扰

4 RE测试失败

RE测试中的低频失败一般由开关电源和地处理不良引起,高频失败一半为内部时钟或晶振的处理不良引起倍频超标,这些信号会有很强的规律,很容易区分。

晶振/时钟引起的RE测试失败

地处理不良引起的RE测试失败

EMC检测作为产品性能测试的重要指标之一,对汽车安全及产品品质至关重要。汽车电子零部件EMC测试发射虽然看不见、摸不着,但还是有一定的规律可循,如遇到失败,可多和实验室的测试人员和项目工程师进行沟通,可帮助客户快速定位发射失败的原因,协助客户解决EMC发射失败问题。

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