PI推出汽车级IGBT/SiC模块驱动器产品系列SCALE EV

纳微半导体发布新产品NV6169,功率提升50%,进入电动汽车,太阳能和数据中心行业

  美国加利福尼亚州埃尔塞贡多,2022 年 5 月 [10]日:氮化镓 (GaN) 功率芯片行业领导者纳微半导体(纳斯达克代码:NVTS)正式发布 NV6169,这是一款采用 GaNSense™技术的650/800 V 大功率GaNFast™芯片,可满足高功率应用,例如 400-1000 W 4K/8K 电视和显示器、下一代游戏电竞系统、500 W 太阳能微型逆变器、1.2 kW 数据中心 SMPS 和4 kW电机驱动。 氮化镓是下一代功率半导体技术,运行速度比传统硅快20倍,和传统硅充电器相比,氮化镓充电器在一半的尺寸和重量下,

Power Integrations今日宣布推出适用于Infineon EconoDUALTM模块的SCALETMEV系列门极驱动板。新款驱动器同样适用于原装、仿制以及其它新的采用SiC的衍生模块,其应用范围包括电动汽车、混合动力和燃料电池汽车(包括巴士和卡车)以及建筑、采矿和农用设备的大功率汽车和牵引逆变器。

SCALE EV板级门极驱动器内部集成了两个增强型门极驱动通道、相关供电电源和监控遥测电路。新驱动板已通过汽车级认证和ASIL B认证,可实现ASIL C牵引逆变器设计。第一个发布的SCALE EV系列成员是2SP0215F2Q0C,专为EconoDUAL 900A 1200V IGBT半桥模块而设计。

用于CAN总线的汽车级瞬态电压抑制器ESDCAN03-2BM3Y

  设计团队正面临着以漏电流形式实现车辆电气化的新挑战。制造商总是有严格的要求,但现在比以往任何时候都更加严格。事

Power Integrations汽车业务发展总监Peter Vaughan表示:“门极驱动器设计对于电动汽车的性能和可靠性都至关重要。我们推出的这款新产品已完成开发、测试和验证以及ASIL认证,将大幅缩减系统开发时间和成本。”

创新的新型驱动器IC具有非常高的集成度,可使整个驱动板(包括门极电源)的尺寸大小完全适合于功率模块,同时仍能提供符合IEC 60664标准的加强绝缘所需的间距。ASIC封装可提供11.4mm的爬电距离和电气间隙,安全满足800V汽车系统电压的要求。系统微控制器的输入和输出线路通过两个独立的板载连接器连接,以满足功能安全要求。每个通道只需要一个独立的5V供电即可,电路板上会生成其他所需的隔离输出电压。

SCALE EV门极驱动器产品系列具有1200V的额定耐压,适用于400V和800V系统,同时支持碳化硅(SiC) MOSFET和基于硅的IGBT开关。其设计符合5500米海拔要求,并且提供三防漆服务选项以满足技术上的洁净度要求。新产品在设计上优势明显,具备完善的保护措施,集成了主动短路、对所连接直流母线电容的主动放电、通过主动门极控制实现过压限制,以及门极监测、信号传输监测和芯片内温度监测等诊断功能,对于SiC MOSFET开关的短路和过流响应时间小于1微秒,而IGBT开关的短路和过流响应时间小于3微秒。

德赛西威打造车云互联OTA新生态 树立碳中和标杆

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