用于CAN总线的汽车级瞬态电压抑制器ESDCAN03-2BM3Y
设计团队正面临着以漏电流形式实现车辆电气化的新挑战。制造商总是有严格的要求，但现在比以往任何时候都更加严格。事
美国加利福尼亚州埃尔塞贡多，2022 年 5 月 [10]日：氮化镓 (GaN) 功率芯片行业领导者纳微半导体（纳斯达克代码：NVTS）正式发布 NV6169，这是一款采用 GaNSense™技术的650/800 V 大功率GaNFast™芯片，可满足高功率应用，例如 400-1000 W 4K/8K 电视和显示器、下一代游戏电竞系统、500 W 太阳能微型逆变器、1.2 kW 数据中心 SMPS 和4 kW电机驱动。
氮化镓是下一代功率半导体技术，运行速度比传统硅快20倍，和传统硅充电器相比，氮化镓充电器在一半的尺寸和重量下，能实现3倍功率或3倍的充电速度。纳微半导体下一代GaNSense技术集成了对系统参数的实时、准确和快速感应，包括电流和温度的感知，实现自主保护，和无损耗电流感应能力，实现了轻便小巧，快速，更高的功率。
45mΩ的NV6169 采用行业标准的、轻薄、低电感、8 x 8 mm PQFN 封装，导通电阻降低 36%，功率提高 50%，用于高效率、高密度的电力系统。
德赛西威打造车云互联OTA新生态 树立碳中和标杆
从拥抱变化到引领变化，德赛西威潜心耕耘汽车电子领域35年，以“倔匠”初心不断护航品牌迭代升级。去年，德赛西威提出“创领智行”品牌新主张，定位“创新引领的移动出行国际一流品牌”，并持续厚植品牌根基，凝聚品牌力量。
纳微半导体首席运营官，首席技术官兼联合创始人 Dan Kinzer 指出：“超过五千万颗纳微氮化镓功率芯片已交付给包括三星、戴尔、联想和小米在内的各级客户，与 GaN 相关的终端市场故障报告为零，GaNSense 技术能够实时、准确地检测电压、电流和温度，从而进一步提高整体系统性能。未受保护的‘分立’式氮化镓或硅功率芯片无法与纳微半导体的性能和可靠性相媲美，通过提供 NV6169，我们将业务范围扩展到数据中心、太阳能和电动汽车等高功率应用，同时凭借前所未有的20 年有限质保承诺，以加速氮化镓在性能要求更高的系统中的采用”。
NV6169 是最先进的纳微第三代氮化镓平台中额定功率最高的功率芯片。采用 GaNSense 技术的 GaNFast 功率芯片具有行业首创，无损电流感应和最快的短路保护，实现“检测到保护”的速度仅为 30ns，比分立解决方案快 6 倍。在电机驱动应用中，与IGBT 相比，氮化镓功率芯片可节省高达 40% 的能源，消除 30 个外部组件，并将系统效率提高 8%。
与竞争解决方案不同，NV6169 额定工作电压为 650V，额定峰值额定电压为 800V，可在瞬态事件期间稳定工作。作为真正的集成功率芯片，GaN 栅极受到全面保护，整个器件的额定静电放电 (ESD) 规格为业界领先的 2 kV。
NV6169 可在签订 NDA后立即提供给客户，批量生产的交货时间目前为 6 至 16 周。设计人员可以使用仿真模型 (PSPICE/LTSPICE/SiMetrix)、3D 封装模型 (STP) 和应用说明 (AN-0016) 来优化下一代系统。
PI推出汽车级IGBT/SiC模块驱动器产品系列SCALE EV
Power Integrations今日宣布推出适用于Infineon EconoDUALTM模块的SCALETM EV系列门极驱动板。新款驱动器同样适用于原装、仿制以及其它新的采用SiC的衍生模块，其应用范围包括电动汽车、混合动力和燃料电池汽车（包括巴士和卡车）以及建筑、采矿和农用设备的大功率汽车和牵引逆变器。 SCALE EV板级门极驱动器内部集成了两个增强型门极驱动通道、相关供电电源和监控遥测电路。新驱动板已通过汽车级认证和ASIL B认证，可实现ASIL C牵引逆变器设计。第一个发布的
